收藏本站
Si7148DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
50
40
30
V GS = 10 V thru 4 V
60
50
40
30
20
20
T C = 125 °C
10
3V
10
25 °C
- 55 °C
0
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.018
0.016
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
4200
3600
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.014
3000
C iss
0.012
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
2400
1800
0.010
1200
0.008
0.006
600
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
60
0
15
30
45
60
75
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 15 A
8
2.0
1.7
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 15 A
V GS = 10 V
6
V DS = 38 V
1.4
V GS = 4.5 V
V DS = 53 V
4
2
0
1.1
0.8
0.5
0
10
20
30
40
50
6 0
7 0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73314
S09-0273-Rev. B, 16-Feb-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7170DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC
SI7172DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 25A PPAK 8SOIC
SI7196DP-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7216DN-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 40V PPAK 1212-8
SI7222DN-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 40V 1212-8 PPAK
SI7228DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8
SI7230DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8
SI7272DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI7149ADP-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P-CH 30V PPAK SO-8 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET -30V 5.2mOhm@10V -50A P-Ch G-III
SI7149DP-T1-E3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
SI7149DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 50A 69W 5.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7156DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 50A 83W 3.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7156DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 50A 83W 3.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7159DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 30A 83W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7160DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 20A 27.7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7160DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 20A 27.7W 8.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube